Para paliar la reducción de rendimiento en las obleas convencionales de silicio, provocada por los defectos en la superficie ( Crystal Originated Pit o COP ) , Samsung Electronics ha anunciado la próxima generación de obleas LDCW para su aplicación a semiconductores . Con estas siglas se designa a la oblea Low-Defect Crystal Wafer que permite, según fuentes de la compañía, una alta prestación para la producción de componentes de memoria de alta densidad, incluidas las DRAMs de 64 MB y 256 MB . Para evitar el cambio a las obleas epitaxiales ( que contienen una nueva capa de silicio sobre la superficie de un componente convencional ) , que resultan más caras que las tradicionales y por tanto un aumento del precio final del chip, Samsung ha reducido estas zonas de defectos en las obleas convencionales para que pueden ser utilizadas en procesamiento de alta integración . De esta forma, y desde 1997, la compañía viene fabricando componentes con esta arquitectura y para el año 2000 prevé un a reducción de costes en más de 31 billones de pesetas . La compañía japonesa ha otorgado la patente y derechos a dos compañías: Shin-Etsu Handotai ( SEH ) y Mitsubishi Materials Silicon ( MSIL ) . SAMSUNG Tel 93 415 77 50 Fax 93 415 96 94 www . samsung . com