Tres de los más importantes fabricantes de equipos electrónicos japoneses –Fujitsu, NEC y Toshiba- han llegado a un acuerdo para desarrollar una especificación técnica para una interfaz estándar que se utilizará en los teléfonos 3G. Los móviles de tercera generación de estos fabricantes utilizarán un tipo común de memoria llamada PSRAM (memoria RAM pseudoestática) para poder intercambiar libremente los datos de una memoria con otros terminales. La memoria PSRAM permite una velocidad de transferencia de datos más rápida entre teléfonos móviles, y por lo tanto facilita la conexión entre distintos terminales 3G. La PSRAM tiene una estructura similar a la DRAM (memoria RAM dinámica), y es más fácil de manejar en altas densidades, funciona más rápido y consume menos energía que otros tipos de memoria con las mismas capacidades de almacenamiento en teléfonos móviles.

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