Denominada “racetrack”, se trata de una memoria de estado sólido que combina las mejores características de las memorias flash, como es no tener ninguna pieza móvil, y el bajo coste de los discos duros para disponer de una memoria no volátil que sería más estable y duradera. Así lo ha manifestado Stuart Parkin, portavoz de IBM.

Además, según Parkin, esta memoria almacena información en miles de átomos en nanocables magnéticos. Sin que se muevan los átomos, una carga eléctrica hace que los datos se muevan rápidamente a través de un conducto U-shaped que permite que los datos se lean y escriban en menos de un nanosegundo (una milmillonésima de segundo), una unidad normalmente utilizada para medir el tiempo de acceso a la RAM.

La memoria lee 16 bits de datos a través de un sólo transistor, por lo que lee y escribe la información hasta 100.000 veces más rápido que las memorias flash.

Aunque esta memoria aún está en una fase muy incipiente de desarrollo, Parkin destaca que ya llevan trabajando en este concepto desde hace 4 ó 5 años, por lo que la compañía espera poder proporcionar terabytes de almacenamiento en algunos dispositivos que integren este tipo de memorias dentro de pocos años.

“Nos llevará de dos a cuatro años poder desarrollar un prototipo en el que podamos construir estos elementos de lectura y escritura en una escala nanoscópica. En cuatro años quizá podemos demostrar que funciona y, entonces, comercializarlo”, señala Parkin.