A partir del próximo año, Intel entregará chips flash NAND 3D que supondrán un importante incremento de la capacidad de almacenamiento. Samsung, rival clave en este campo, ya dispone de su segunda generación de unidades SSD con tecnología 3D, pero las huestes de Intel aseguran que con esta tecnología superarán también al gigante surasiático.

La tecnología NAND3D cuenta con múltiples capas de transistores, apilados uno encima del otro en forma de cubo. Y los futuros chips de Intel dispondrán de hasta 32 capas. Samsung ya dispone de unidades SSD flash con 32 capas, pero Intel asegura que sus productos ofrecerán el doble de bits que su competencia, hasta 256.000 millones de bits en un solo cubo, gracias a su célula multinivel (MLC).

El almacenamiento flash es mucho más rápido que los discos tradicionales, pero sigue siendo más caro de fabricar. Al duplicar la capacidad de un cubo, Intel piensa que puede lograr un avance también en esta materia y ofrecer importantes ahorros de costes, de forma que se pueda integrar en una gama más amplia de sistemas. Los productos que ya utilizan flash serán capaces de alcanzar una capacidad de almacenamiento superior al mismo precio, asegura.

La tecnología flash todavía representa un mero 20 por ciento del mercado actual de almacenamiento, pero las proyecciones actuales indican que podrían alcanzar hasta el 50 por ciento del mercado de portátiles y el 35 de servidores en 2018.