VIDA DIGITAL | Noticias | 27 ABR 2015

Cómo puede Intel prolongar la Ley de Moore

Tags: Chip
Cuando se cumplen los 50 años de la Ley de Moore, hay dudas sobre su futuro aunque Intel tiene intención de prolongarla. Una de las posibilidades para seguir aumentando el número de transistores de un chip, es introducir nuevos materiales y una nueva estructura de transistor.
moore
Redacción PCWorld

Bajo el título “Intel, Moore y 50 años de evolución”, Alfonso Casas realizaba la semana pasada un repaso a lo que supuso la Ley de Moore en la historia de la industria de los semiconductores, desde el primer procesador del mundo que Intel lanzó, el chip 4004, con solo 2.300 transistores en su interior, a los actuales chip Core i7 que se encuentran presentes en los ordenadores que utilizamos a diario, con 1,4 millones de transistores en su interior.
Hoy hablamos de cómo Intel podría seguir prolongando la Ley de Moore o, mejor dicho, de lo que propone David Kanter, de Linley Group, en un documento publicado la semana pasada. Según este analista, para poder integrar transistores más pequeños en los chips, Intel tendría que introducir nuevos materiales y nuevos diseños de transistores.
Actualmente, Intel ya utiliza un proceso de 14 nanómetros y prepara su llegada a los 10 nm será finales de este año o principios del próximo. Este número se refiere a las dimensiones de los circuitos grabados en cada chip, y circuitos más pequeños suponen chips más rápidos y menos consumo de energía.
Las nuevas técnicas podrían permitir que Intel asegurase la continuación de la Ley de Moore, por lo menos hasta que se alcance un proceso de 7nm, algo que Kanter estima que suceda en 2017 ó 2018.
La Ley de Moore predice que la densidad de transistores se duplica cada dos años, lo que permite a los chips ser más rápidos y económicos. Pero con transistores a escala atómica, la gestión de esta energía se vuelve más difícil.
Esta analista predice que en los próximos años Intel probará a combinar con el silicio otros materiales como el germanio expandido o arseniuro de indio y galio, que tienen su origen en la familia de materiales del grupo III y V basados en elementos de la tercera y quinta columnas de la tabla periódica.
Los materiales de este grupo de la tabla periódica se consideran sucesores eventuales del silicio porque mejoran la conducción de electrones. Inicialmente se utilizarían junto al silicio. Intel ya está utilizando alternativas al silicio como el hafnio en sus chips.
También es probable que se adopte una nueva estructura de transistor basada en Quantum Well FET (QWFET), en la que Intel lleva investigado en torno a un década. En estos sistemas, los electrones se prensan entre materiales del grupo II-V con puertas a cada lado, garantizando que se mueven en la dirección correcta. El comportamiento de la carga está más controlado por la combinación de la geometría y los materiales, y el resultado es que los transistores consiguen un mejor rendimiento.
Intel no ha hecho comentarios sobre el trabajo de Kanter, pero en un post de 2010 hablaba sobre la viabilidad de QWFETs y los materiales III-V, y la viabilidad de construir chips basándose en una nueva estructura de los transistores.

 

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