BUSINESS TI | Noticias | 25 ABR 2011

SanDisk y Toshiba fabrican memorias NAND Flash de 19 nanómetros

Tags: Hardware
Los nuevos chips de memoria NAND Flash incrementarán las capacidades de almacenamiento que actualmente ofrecen los terminales inteligentes del tipo smartphone.
Alfonso Casas

Tanto SanDisk como Toshiba destacan utilizar actualmente el proceso de fabricación de chips de memoria NAND Flash más optimizado del mercado, basado en el uso de tecnología de 19 nanómetros.

Debido a que el uso y comercialización de teléfonos móviles avanzados sigue alcanzando cuotas elevadas, y a que es necesario ofrecer mayores capacidades de almacenamiento en formatos más pequeños, fabricantes como SanDisk y Toshiba han desarrollado y fabricado módulos de memoria NAND Flash basados en la tecnología de proceso de 19 nanómetros. Tan solo unas semanas antes, Intel comenzó a utilizar su proceso de fabricación de 25 nanómetros en su memoria NAND Flash de sus soluciones de discos SSD de estado sólido pertenecientes a la serie 320.

El nuevo proceso, el más optimizado hasta la fecha, es aplicado a 2 bits por celda (X2) en chips monolíticos de 64 gigabit, y ofrece la más alta densidad de chip único en 8 GB. De esta manera, es posible su utilización en dispositivos como teléfonos móviles avanzados, elevando su capacidad hasta los 128 GB de memoria, utilizando para ello 16 chips únicamente. Los módulos también han sido equipados de la tecnología DDR2.0 para incrementar las velocidades en la transferencia de datos.

En el caso de SanDisk, ha aportado sofisticadas innovaciones y soluciones de diseño en la nueva célula de memoria, de modo que la arquitectura “All-Bit-Line” con algoritmos de programación propietarios y almacenamiento de datos multinivel, ayudan a producir la memoria NAND Flash más compacta sin sacrificar aspectos como el rendimiento o fiabilidad.

Las muestras de los nuevos módulos 2 bit por célula en chips de 64 GB estarán disponibles a finales de este mismo mes, con una producción masiva programada para el tercer trimestre del año. 

Recientemente, Intel, Toshiba y Samsung anunciaron que llevarían a cabo la fabricación de memorias NAND utilizando la tecnología de 10 nanómetros.

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