BUSINESS TI | Noticias | 22 JUL 2010

Samsung y Toshiba se unen para conseguir más velocidad en las memorias NAND flash

Tags: Hardware
Samsung Electronics y Toshiba han declarado que tienen previsto impulsar conjuntamente una nueva especificación dirigida a acelerar el flujo de datos en las memorias NAND flash, utilizadas para almacenar datos en productos que van desde el iPad al iPhone, pasando por módulos SSD que se emplean en PC y centros de datos.
Paula Bardera

Los dos principales fabricantes del mundo de chips de memoria NAND flash se han comprometido a desarrollar memoria flash DDR NAND con una interfaz de 400 megabit por segundo, lo que es mucho más rápido que lo que se conseguía en la especificación anterior de la tecnología, que alcanzaba los 133 Mbps. De hecho, es diez veces más que los 40 Mbps que ofrecen los chips NAND flash tradicionales.

La tecnología, denominada toggle-mode DDR, es también rival del ONFI, (Open NAND Flash Interface), un estándar respaldado por Intel, Micron Technology y SanDisk. Ambas tecnologías se dirigen a productos de alto rendimiento como SSD, pues los grupos que apoyan NAND flash esperan que algún día puedan reemplazar a los HDD. ONFI puede alcanzar velocidades de 166 Mbps y 200 Mbps, según la información publicada en la página web de ONFI. “Ambas implementaciones pretenden lograr niveles de rendimiento similares”, ha declarado Gregory Wong, CEO de la firma de análisis Forward Insights. “ONFI ha tenido un comienzo más sólido, porque se estableció antes, pero toggle-mode DDR es un poco más compatible con el estándar de interfaz asíncrono”.

Además, ha declarado que la tasa de adopción de las dos tecnologías estará influida también por el suministro, puesto que Samsung y Toshiba suministran copan el 70 por ciento del mercado de memoria NAND flash, por lo que pueden hacer valer esta posición para dinamizar la adopción de su propio estándar.

Jim Handy, analista de Objective Analysis, considera que las interfaces más veloces para los chips NAND son importantes por su creciente uso en el procesamiento de datos, no sólo para dispositivos USB, música, fotos o vídeo. El anuncio de Samsung y Toshiba muestra que las dos compañías están haciendo frente a asuntos de compatibilidad en el toggle-mode DDR. En una nota de prensa, las compañías afirman que confían en la creciente adopción de smartphones, tablet PC y SSD para que impulsen la demanda de una mayor gama de chips NAND de alto rendimiento y que las continuas actualizaciones en lo que a velocidad se refiere, puedan liderar la adopción de nuevos productos basados en memoria NAND flash. El mes pasado, Samsung presentó uno de los primeros SSD que usa memoria flash NAND toggle-mode, en concreto, se trata de un dispositivo de 512 GB con una velocidad de lectura máxima de 250 MBps y una velocidad secuencial de escritura de 220 Mbps.

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