BUSINESS TI | Noticias | 30 ENE 2009

Samsung presenta el primer chip DDR3 DRAM de 4GB

Tags: Hardware
Samsung ha desarrollado su primer chip de memoria DDR3 DRAM de 4 GB utilizando un proceso de litografía de 50 nanómetros. Este chip dobla la densidad de unidades anteriores, con módulos de hasta 32 GB de capacidad.
Arantxa Herranz

El desarrollo de estas memorias DDR3 de 4 GB de bajo consumo favorecerá una reducción en los costes de los centros de datos al ser necesarias menos máquinas, mejorar el tiempo de gestión de los servidores e incrementar la eficiencia en términos generales, según Samsung.

El pasado septiembre, Samsung anunció el desarrollo de su primer módulo DDR3 de 2 GB de 50 nanómetros. Ahora está vendiendo productos DDR3 de alto rendimiento utilizando la misma tecnología de proceso con los chips de 1, 2 y 4 GB.

Los analistas de mercado aseguran que estos chips de alta densidad pueden conllevar un gran recorte de precios para los usuarios dado que los costes de producción también van a ser menores para los fabricantes.

Los precios de las memorias DRAM han caído drásticamente durante los dos últimos años debido a un exceso de la oferta. Las unidades DDR3 suponen el 29 por ciento del mercado DRAM en estos momentos y llegarán a ser el 75 por ciento en 2011, según IDC. De las DDR3, las de 2 GB o mayores capacidades llegarán a ser el 3 por ciento del mercado en este año, y en 2011 supondrán 33 de cada 100 memorias.

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