BUSINESS TI | Noticias | 05 FEB 2009

Samsung fabrica un chip de memoria DRAM de 40 nanómetros

Tags: Hardware
Samsung Electronics ha desarrollado su primer chip chips de memoria DRAM y un módulo para el mismo, utilizando una tecnología de litografía de 40 nanómetros.
Paula Bardera

Se trata de la serie de procesadores móviles GB45, que han sido diseñados para reducir el consumo de energía en un 30 por ciento, respecto al proceso actual de 50 nanómetros. En concreto, el módulo de memoria DDR2 ha sido certificado en el programa de Validación de Plataformas de Intel para su uso en los chipsets móviles Express de la serie Intel GM45, que fue utilizada en sus inicios en portátiles, principalmente.

Se espera que la migración a los procesos de fabricación de 40 nanómetros acelere el ciclo de introducción en el mercado en un 50 por ciento, pasando así de dos años a uno, explican desde Samsung.

La pasada semana, Samsung anunció que trasladaba su tecnología de fabricación de chips chips de memoria DDR3 DRAM  al nivel de los 50 nanómetros. Así las cosas, la compañía tiene previsto aplicar su tecnología de 40 nanómetros para desarrollar un dispositivo DDR3 de 2 Gbit que entrará en producción comercial a finales de este año.

“Esto sitúa a Samsung muy por delante en términos de sus plantas de fabricación”, afirma Bob Merritt, socio fundador de la firma de análisis de mercado, Convergent Semiconductors. En su opinión, el movimiento de Samsung hacia la litografía de 40 nanómetros en los DDR2 también puede impulsar un salto futuro en el precio de las DRAM. 

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