BUSINESS TI | Noticias | 14 JUN 2007

Nuevas memorias NAND de Toshiba

Tags: Hardware
Toshiba ha desarrollado una nueva estructura para las celdas de memoria NAND que permitirá ampliar su capacidad con un moderado aumento de tamaño del chip, incrementando así la densidad de memoria.
Óscar García
El nuevo desarrollo es una estructura tridimensional, en la que se interconectan varias capas apiladas de semiconductor mediante electrodos en forma de pilares que las atraviesan verticalmente. El diseño es una tecnología candidata para la previsible demanda futura de memoria Flash NAND de mayor densidad.

Normalmente, cuando se incrementa la densidad de memoria es porque se ha mejorado la tecnología de proceso pasando, por ejemplo, de 60 a 45 manómetros. En este caso, Toshiba aumenta la densidad manteniendo el proceso pero pasando de chips de dos dimensiones con una sola capa de semiconductor a chips apilados con varias capas.

Las técnicas de apilamiento utilizadas hasta ahora se basaban en fabricar chips convencionales y montarlos uno encima del otro antes de encapsularlos, pero este método hace que el proceso de fabricación sea más largo y complejo. El nuevo desarrollo de Toshiba es más fácil de fabricar y no produce mucho aumento en el área del chip, pues los circuitos periféricos son compartidos por varias de las capas.

Toshiba ha anunciado que seguirá desarrollando está tecnología para aumentar su seguridad y fiabilidad.

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