BUSINESS TI | Noticias | 21 DIC 2006

Nuevas memorias DRAM más rápidas

Hynix ha presentado una memoria DRAM a 800 MHz, fabricada utilizando el proceso de 60 nanómetros y con 1 GB de capacidad. Esto supone un notable adelanto teniendo en cuenta que la memoria más rápida de este tipo que había hasta ahora en el mercado era de 667 MHz.
Encarna González
Los nuevos chips estarán integrados en módulos de 1 y 2 GB DDR2 y se espera que estén disponibles a lo largo de la primera mitad de 2007. El formato será DIMM en U sin búfer.

El fabricante espera que el precio de este producto descienda a la mitad en comparación con el equivalente de la primera generación fabricado en proceso de 80 nanómetros. Los chips son más pequeños que los actuales, por lo que no necesitan integrarse conjuntamente para construir algunos módulos de memoria. De hecho, Hynix utiliza el método de ensamblaje de filas duales, lo cual resulta más económico para la compañía.

Además, ha utilizado una arquitectura de transistor 3D y un proceso de metal de triple capa que incrementa tanto la velocidad como la eficiencia energética. De esta forma, también asegura que las señales eléctricas en el chip sean estables aunque los componentes estén dispuestos de forma más densa. Esto permite que, al tener un reducido tamaño, estos módulos de memoria puedan insertarse en dispositivos muy delgados.

Fuentes de la compañía han informado que están disponibles para producir 4 GB y módulos de densidad mayor en formato DIMM en R (registrado) y FB (buffer completo)

Intel ya ha validado los nuevos módulos que serán integrados en las estaciones de trabajo con alto rendimiento en gráficos y dispositivos móviles que necesiten memorias de alta densidad y más rápidas. Asimismo, Hynix confía en que la demanda para este tipo de memorias se incremente notablemente, especialmente gracias al lanzamiento de Windows Vista, puesto que necesita más de 2 GB de memoria RAM para un rápido rendimiento.


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