| Artículos | 01 MAR 1997

Samsung mejora sus chips SDRAM incrementando el ancho de banda

Tags: Histórico

La aparición de los procesadores de Intel con tecnología MMX ha sido una de las motivaciones de Samsung Semiconductor para desarrollar memorias SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) más veloces. Del mismo modo, estos productos también serán útiles para todos aquellos procesadores que requieren una elevada cantidad de memoria.

El nombre del producto es SDRAM II, también conocida bajo la denominación Double Data Rate SDRAM, y su fecha de fabricación masiva se sitúa en torno a mediados de 1998. De momento, la tecnología ha sido mostrada al Joint Electronics Device Engineering Council y Samsung Semiconductor espera la aprobación durante este año de los miembros de este consejo. Sin embargo, a finales de este año se prevé que aparezcan las primeras muestras de los chips SDRAM II de 64 Mbit.

En cuanto a las características fundamentales de SDRAM II, fuentes de la compañía afirman que pueden ofrecer hasta seis veces más ancho de banda que los actuales chips EDO RAM. Respecto a precios, el nivel de los mismos será muy parecido a los actuales de los chips SDRAM.

SAMSUNG

Tel. (93) 261 67 00

Fax (93) 261 67 54

www.samsung.com

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