| Artículos | 01 FEB 2000

Samsung desarrolla un chip de memoria Rambus DRAM de 288 Mbits

Tags: Histórico
Samsung ha vuelto a ser la compañía en dar un impulso a las memorias Rambus DRAM al anunciar el éxito en el desarrollo de un chip RDRAM con una capacidad de 288 Mbits. El fabricante coreano ha utilizado para ello la tecnología de 0,17 micras, lo que le ha permitido afirmar que este chip de Rambus DRAM duplica la capacidad de almacenamiento de datos que los modelos de memoria RDRAM existentes hasta este momento. Asimismo, Samsung ha conseguido mejorar la velocidad de procesamiento de cada pastilla hasta alcanzar los 800 Mbps.
Las memorias Rambus DRAM utilizan un interfaz desarrollado por Rambus Inc para acelerar el flujo de datos hacia dentro y hacia fuera del chip de memoria. A la vez que los procesadores aumentan su velocidad y los buses centrales de datos también corren a velocidades mayores, la importancia de la velocidad del interfaz de la memoria está siendo también mayor.
Fuentes de Samsung han manifestado la intención de la compañía de empezar el proceso de producción en masa de este chip de memoria DRAM de 288 Mbits basado en el formato Direct Rambus, cuyo número de unidades por mes será de dos millones.

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