| Noticias | 01 FEB 2010

Primeras memorias DDR3 DRAM de 30 nanómetros

Samsung ya tiene listos los primeros chips de memoria DDR3 DRAM fabricados con tecnología de 30 nanómetros, que ofrecen un menos consumo y mayor rendimiento que los anteriores de 50 nm.
PCWORLD PROFESIONAL

El chip de memoria DDR3 DRAM de 30 nanómetros de 2 GB consume un 30 por ciento menos de energía que los fabricados bajo la tecnología de 50 nanómetros, entre otros importantes beneficios económicos, según explica Samsung, compañía que tiene DDR3 de 2 GB para portátiles, sobremesa y servidores cuyo consumo de energía se sitúa entre los 1,35 y los 1,5 voltios.

Se espera que sea precisamente en este trimestre cuando las DDR3 superen a sus predecesoras, las DDR2, como la memoria DRAM más común en el mundo, debido precisamente a los beneficios que conlleva este menor consumo energético y a un rendimiento más rápido, según la consultora on-line DRAMeXchange Technology. Además, los fabricantes de ordenadores están dándose prisa para utilizar estos chips de memoria en portátiles y servidores.

El hecho de que haya sido capaz de llevar la producción de estas memorias a los 30 nanómetros sitúa a Samsung por delante de otros competidores. Según el fabricante, sus chips DDR3 de 30 nanómetros entrarán en fase de producción masiva en la segunda mitad de este año. Los planes también contemplan que, a finales de este 2010, sea la tecnología utilizada en la mayoría de sus fábricas.

Por su parte, IM Flash Technologies, una joint venture formada por Intel y Micron Technology, está utilizando la tecnología de 25 nanómetros para hacer chips de memoria flash, pero no DRAM.

La tecnología de 30 nanómetros supone un incremento de la productividad del 60 por ciento en comparación con los DDR3 de 40 nanómetros, según los datos que facilita Samsung.

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