| Noticias | 13 DIC 2006

Nuevo tipo de memoria en desarrollo promete más rapidez y duración que la memoria flash

Tags: Histórico
El nuevo tipo de memoria podría sustituir en el futuro al almacenamiento basado en memoria flash y a los discos duros.
Macworld
La memoria flash y las unidades de disco duro podrían quedar obsoletas frente a una nueva tecnología de chip denominada "memoria de cambio de fase" que actualmente se encuentra en desarrollo por parte de un grupo de empresas lideradas por IBM.

Dichas empresas anunciaron recientemente los resultados obtenidos a raíz de sus últimas investigaciones en dicha tecnología, de la que indican que se obtendrá un mejor rendimiento en el almacenamiento de canciones, imágenes y otros datos sobre dispositivos iPod y cámaras digitales en comparación con la memoria flash actual; y que también podría sustituir a las unidades de disco duro.

Entre otros avances, dichas empresas han creado un prototipo que funciona 500 veces más rápido en comparación con la memoria flash actual, al tiempo que se emplea la mitad de energía para escribir la información en la celda de memoria.

Los circuitos del dispositivo son mucho más pequeños que los utilizados en las memorias flash, con un tamaño de tan sólo 2 x 20 nanómetros, demostrando que, al contrario de lo que ocurre con la memoria flash, la memoria de cambio de fase se podrá emplear con las técnicas y sistemas de producción avanzados que estarán disponibles en torno a 2015.

Este progreso se debe en parte al desarrollo de un nuevo material que permite crear los chips de memoria; se trata de una aleación de germanio sobre la que los investigadores añaden otros elementos para mejorar sus propiedades. Las empresas involucradas en este desarrollo han solicitado una patente sobre dicho material.

Los chips podrían constituir un nuevo tipo de memoria no volátil, que puede mantener su carga eléctrica y por tanto los datos almacenados, incluso una vez apagado el dispositivo. La memoria flash también es de tipo no volátil, pero la memoria de cambio de fase puede mantener y utilizar su carga eléctrica con mayor eficacia.

La memoria flash también se enfrenta a un punto muerto. A medida que los ingenieros reducen el tamaño de los chips de los circuitos, los circuitos también hacen un peor uso de la energía reduciendo su capacidad para almacenar los datos una vez se han apagado. Parece que el límite se encuentra en torno a los 45nm, si bien aún restan unos cuantos años antes de que la industria de la memoria flash comience a utilizar estas tecnologías de producción.

La memoria de cambio de fase puede reducirse hasta los 22nm; también parece ser que será más duradera que la memoria flash, cuyas celdas comienzan a perder cualidades después de las 100.000 escrituras.

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