| Artículos | 01 ABR 2011

Memoria DRAM Samsung de nueva generación

Tags: Histórico
La memoria DRAM Samsung de nueva generación que la compañía acaba de presentar cuenta con nuevos módulos de 1 GB DRAM para dispositivos móviles y tablet, acelerando la transmisión de datos a velocidades de 12,8 GBps.

La nueva generación de módulos de memoria DRAM de Samsung promete velocidades transmisión de 12,8 GBps mientras se consigue reducir el consumo de energía en torno a un 87 por ciento con respecto a los estándares actuales.
Según ha destacado recientemente el vicepresidente de Samsung, Byungse So, la DRAM mobile de 1 GB es fabricada empleando un proceso de fabricación de 50 nanómetros, con una amplia variedad de entornos en los que ser desplegada. La clave de las nuevas velocidades de transmisión radica en la utilización de 512 pines para la entrada y salida de datos, frente a la anterior generación de DRAM móvil que utilizaba un máximo de 32 pines.
Tras los avances logrados hasta ahora, la nueva meta consiste en poder ofrecer para el año 2013 nuevos módulos DRAM móvil de I/O de hasta 4 GB por unidad, y basándose en procesos de fabricación de 20 nanómetros, consiguiendo optimizar el consumo de energía. La DRAM de clase 50 nm LPDDR2 DRAM fue presentada en el año 2009, y posteriormente llegaría la LPDDR2 en 2010 de 2 GB y clase 40 nm.
Las aplicaciones de gráficos tridimensionales requieren de memoria avanzada para conseguir prestaciones excepcionales. La memoria de tipo GDDR5 implementada habitualmente en las tarjetas gráficas ofrece picos de ancho de banda que pueden alcanzar los 20 GB/s.

www.samsung.com/es

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