| Noticias | 06 FEB 2008

La memoria flash NAND de Intel y Micron, cinco veces más rápida

Tags: Histórico
Intel y Micron desarrollan en conjunto una nueva tecnología de memoria flash NAND SLC, diseñada para alcanzar velocidades de transferencia cinco veces mayores de las hasta ahora conseguidas.
Mamen Polaino

IM Flash Technologies, empresa conjunta entre Micron e Intel, ha creado una tecnología de memoria flash NAND de alta velocidad de celdas de único nivel (SLC, Single Level Cell) de 8 GB, actualmente en pruebas por fabricantes si bien la compañía espera comenzar este verano su producción en serie, según informó Bill Lauer, el director de marketing de Boise, el grupo de memoria de Micron.

Esta tecnología permitirá descargas más rápidas y un acceso a la información más fluido entre el hardware empresarial, las aplicaciones y los dispositivos de vídeo y móviles, aseguró Lauer, quien apuntó además, la intención de Micron de incorporar este tipo de memoria flash en su familia de unidades de disco duro RealSSD. Asimismo, Laurer garantizó que la nueva NAND aumentará la velocidad de los discos duros híbridos, basados en una combinación de disco y memoria que les hace cuatro veces más rápidos que los tradicionales.

Micron asegura que su tecnología NAND SLC puede leer datos a 200 Mbps y escribirlos a 100 Mbps utilizando el interfaz Open NAND Flash 2.0 y una arquitectura de cuatro planos. Comparando las distintas versiones de memoria, Laurer señaló que el modelo NAND tradicional basado en SLC, no está diseñado para superar velocidades mayores a 40 Mbps en la lectura de datos y 20 Mbps en su escritura.

La compañía tiene pensado utilizar la nueva versión de memoria con el objetivo de aumentar la velocidad de sus interfaces PCI Express y USB 3.0, ambas aún en desarrollo. Por otra parte, la empresa ha anunciado el diseño de un modelo de celdas multinivel para este tipo de tecnología.

Joe Unsworth, analista de Gartner, asegura que la tecnología NAND de Micron e Intel debería servir para expandir este tipo de memoria flash entre los usuarios que buscan unas prestaciones más avanzadas. No obstante, Unsworth advierte que el elevado coste de esta nueva tecnología ceñirá su uso a las unidades de disco USB y a las tarjetas de memoria flash. “Los precios de la NAND de Micron deberán bajar para poder competir con los discos duros”, añadió.

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