| Noticias | 19 DIC 2006

La memoria DRAM más rápida del mundo

Tags: Histórico
Hynix ha desarrollado un chip a 800 MHz de memoria DRAM que ofrece una capacidad de 1 GB.
Francisco Javier Pulido
Hynix ha producido la memoria de ordenador más rápida de la industria: un chip a 800 MHz de memoria DRAM que utiliza el proceso de fabricación de 60 nanometros y ofrece una capacidad de 1 GB. Actualmente, la memoria más rápida corre a 667 MHz.

Los nuevos chips serán integrados en módulos DDR2 de 1GB y 2 GB que estarán disponibles en volumen en la primera mitad de 2007. El formato será DIMM en U sin búfer.

Hynix espera que el coste de producto baje a la mitad cuando se comparen a la equivalente primera generación de tecnología de memoria de 80 nanometros. Los chips son más pequeños que los actuales, así que no necesitan ser apilados uno encima del otro para producir módulos de memoria. En su lugar se pueden colocar unidos en un método de ensamblaje dual que resulta más barato.

Hynix utiliza una arquitectura de transistor 3D y un proceso de metal de triple capa que incrementa tanto la velocidad como la eficiencia energética. También asegura que las señales eléctricas en el chip son estables aunque los componentes estén dispuestos de forma conjunta más densamente que antes.

Hynix asegura que será capaz de producir módulos de 4GB e incluso mayor densidad en formatos DIMMM en R (registrado) y FB (buffer completo). Intel ya ha validado los nuevos módulos.

Los nuevos módulos de memoria están adaptados para estaciones de trabajo de alto rendimiento y dispositivos móviles que necesitan alta densidad y memoria rápida. Se espera que la demanda para este tipo de memoria se amplíe tan pronto como Microsoft lance su próxima versión de Windows. Necesita más de 2 GB de RAM para un rendimiento rápido. Hynix es el tercer mayor fabricante de DRAM a nivel mundial después de Samsung y Qimonda.

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